規(guī)格型號(hào)：51977539
頻率：27MHZ
尺寸：1.6*1.2mm
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產(chǎn)品描述：Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體,日蝕晶振,歐美進(jìn)口晶振,水晶振動(dòng)子,SMD晶體,無(wú)源晶體,音叉晶體,型號(hào)EB1216,編碼EB1216JA10-27.000M-TR是一款金屬面貼片型的無(wú)源晶振,尺寸為1612mm,頻率27MHZ,精度1...

Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體,日蝕晶振,歐美進(jìn)口晶振,水晶振動(dòng)子,SMD晶體,無(wú)源晶體,音叉晶體,型號(hào)EB1216,編碼EB1216JA10-27.000M-TR是一款金屬面貼片型的無(wú)源晶振,尺寸為1612mm,頻率27MHZ,精度15ppm,負(fù)載10PF,工作溫度-40~+85°C,產(chǎn)品具備超高的可靠性能和穩(wěn)定性能,常常用于物聯(lián)網(wǎng)計(jì)量,工業(yè)醫(yī)療保健,超小型設(shè)備,可穿戴設(shè)備,便攜式設(shè)備等領(lǐng)域.

EB1216YA10-25.000M TR無(wú)源晶振的真空封裝技術(shù)：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝.1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高.此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體

EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體晶振參數(shù)表

日蝕晶振規(guī)格	單位	EB1216晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	27MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±15 × 10^-6 ,0°C ～ +85°C	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.lcsx.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	10pF ～ ∞	超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	150 Ohms	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體 尺寸圖

EB1216JA10-27.000M-TR晶振 使用注意事項(xiàng)

耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體

PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo):
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于石英晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。

存儲(chǔ)事項(xiàng):
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存金屬面晶振時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些石英晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。正常溫度和濕度：溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。Ecliptek晶振EB1216,EB1216JA10-27.000M-TR音叉晶體

制造商零件編號(hào)	供應(yīng)商	系列	類型	頻率	頻率穩(wěn)定性	頻率容差	負(fù)載電容
EB2532YA12-26.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	26 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-28.63636M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	28.63636 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB1216JA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	27.12 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1216JA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	27 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF
EB1620YA10-32.000M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	32 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1620YA10-27.120M TR	Ecliptek	EB1620	MHz 晶體	27.12 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1216YA10-27.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	27 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1216YA10-26.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	26 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB1216YA10-25.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EA2025JA18-25.000M TR	Ecliptek	EA2025	MHz 晶體	25 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA3250MA10-14.7456M TR	Ecliptek	EA3250	MHz 晶體	14.7456 MHz	±20ppm	±15ppm	10pF
EB3250JA12-12.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	12 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB3250JA12-24.000M TR	Ecliptek	EB3250	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EA3250FA18-25.000M TR	Ecliptek	EA3250	MHz 晶體	25 MHz	±50ppm	±30ppm	18pF
E1SFA12-3.6864M TR	Ecliptek	E1S	MHz 晶體	3.6864 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EA2532LA18-32.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	32 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA18-16.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	16 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
EA2532LA18-12.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	12 MHz	±30ppm	±15ppm	18pF
EA2532QA18-12.000M TR	Ecliptek	EA2532	MHz 晶體	12 MHz	±20ppm	±15ppm	18pF
EB2532JA12-25.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	25 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-32.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	32 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-20.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	20 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB1620YA10-27.000M TR	Ecliptek晶振	EB1620	MHz 晶體	27 MHz	±50ppm	±30ppm	10pF
EB2532JA12-24.576M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	24.576 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-26.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	26 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-12.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	12 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-12.288M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	12.288 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532JA12-16.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	16 MHz	±30ppm	±15ppm	12pF
EB2532YA12-12.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	12 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-30.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	30 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-32.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	32 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-13.560M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	13.56 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-24.576M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	24.576 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB2532YA12-16.000M TR	Ecliptek	EB2532	MHz 晶體	16 MHz	±50ppm	±30ppm	12pF
EB1216JA10-24.000M TR	Ecliptek	EB1216	MHz 晶體	24 MHz	±30ppm	±15ppm	10pF

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