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416F480X2AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz

削減在水晶石英的壓電特性是由雅克·居里和皮埃爾·居里在1880年發現的。第一臺石英晶體振蕩器由Walter G. Cady在1921年建造。1923年，戴伊在國家英國物理實驗室和貝爾電話實驗室的Warren Marrison用石英振蕩器制作了一系列精確時間信號。最常見的水晶設計之一是AT切割水晶和將是整個應用程序注意引用水晶類型。對于1MHz以上的頻率，通常只采用厚度剪切振動模式。確定了AT切割晶體的頻率根據晶體的厚度，即晶體越薄，頻率越高。振動質量晶體等效于串聯運動電感L1．

晶體的機械損耗表現為等效串聯電阻R1，晶體的機械彈性相當于串聯電容器C1．

416F480X2ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480X2CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXCDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F50011CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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416F50012CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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416F50013AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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416F50013CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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416F5001XAAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XAKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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416F5001XCAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz

C0是與支架相關的并聯電容還有電極電容。AT切割晶體具有良好的穩定性與溫度特性，這是它們受歡迎的原因之一。

除非另有說明，AT Cut晶體將以基本模式運行。然而，任何AT晶體都有可能在其中工作的泛音或奇數倍基本模式。這意味著一個10MHz基本晶體將在10MHz，在30MHz[3泛音]，在50MHz[5泛音]，等等。overtone的用法[奇諧波]

允許高頻操作同時保持更厚的石英晶片。

石英晶體的等效電路如下所示。可以指定每個組件來幫助描述設備的獨特屬性。在定義石英晶體的規格時，應檢查等效電路的各個參數。對于所有的設計，都有每種水晶設計的限制。

416F480X2ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X2CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480X3ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480X3CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXAAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480XXCAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXCKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
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416F480XXCSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F480XXCTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	48MHz
416F50011AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50011CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50012CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50013CTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XAAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XAKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCLR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCSR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F5001XCTR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022AAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ADR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022AKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ALR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ASR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F50022ATR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz

L1晶體的運動電感是由運動石英的機械質量決定的。較低的頻率[較厚和較大的石英晶圓]往往運行在幾個亨利高頻率(更薄、更小的石英晶圓)往往以幾毫亨利的速度運行。L1與C1由下式定義。最好有客戶指定C1[如果需要]，然后指定L1可以計算。

C1移動電容由石英的剛度決定(它是恒定的)晶體表面的金屬化面積[電極尺寸]以及晶體的厚度和形狀晶片。在較低的頻率下，晶圓片必須被塑造[輪廓或斜面]以提高性能。這會降低C1的設備。基模晶體的C1是可變的從大約0.005pF到0.030pF。一般來說，如果一個基本設計被用于泛音，C1除以泛音的平方。[第三泛音是基本音的1/9]

416F500X2CAR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F500X2CDR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
416F500X2CKR	CTS晶振	416	MHz Crystal	50MHz
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R1:運動電阻是石英晶體等效電路的電阻元件。這種阻力表示晶體在固有諧振頻率[串聯諧振]下的等效阻抗。對于給定的晶體Q和串聯諧振頻率，運動電阻與晶體的活性區域活性面積與電極面積大致相同。因此晶體越小，R1越大．在實踐中，小晶體的Q沒有大晶體高的人。降低的Q也有助于更高的R1．如果電路沒有調整以適應R1越高，這可能會導致振蕩器啟動問題。

晶體的并聯電容部分是由于晶圓的厚度。這是不振動時的測量電容。并聯電容范圍為1 ~ 7pf。這不是典型的由于與振蕩器電路兼容，超過7pF。