設(shè)計電路要找到匹配的晶振相互配合,補(bǔ)充,才能顯出各自的長處,電子工程師初期會篩選晶振供應(yīng)商,來提供電路需要的晶振型號及相關(guān)參數(shù).帝國科技擁有十幾年的豐富經(jīng)驗,從研發(fā)晶振到電路設(shè)計已經(jīng)有相當(dāng)成熟經(jīng)驗.那么先從大家用的最多的32.768K石英晶振 ,石英晶振匹配IC,石英晶振的驅(qū)動電壓和功率,晶振焊接溫度及振蕩模式相關(guān)知識技術(shù)給大家分享.
以下有帝國小齊整理收集晶振電路設(shè)計知識.
電路設(shè)計和晶振的關(guān)鍵性參數(shù):
驅(qū)動級（DL）,石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
石英晶振|振蕩模式,頻率溫度曲線
石英晶振驅(qū)動級（DL）
晶體單元的驅(qū)動器的運行功率或電流消耗水平（對照電路圖9,10,11）.

石英晶體單元操作的權(quán)力過大,這可能會導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化.您的電路設(shè)計在絕對最大驅(qū)動電平.
石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
負(fù)載電容（CL）是一個確定的石英晶振|振蕩電路的頻率參數(shù). CL是代表一個有效的等效電容,加載從石英晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端(對照電路圖12,13).

石英晶振|振蕩頻率會有所不同,這取決于負(fù)載電容
石英晶振|振蕩電路.為了獲得理想的頻率精度,貼片晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的.為使用的晶體單元,配合晶體單元的負(fù)載電容的石英晶振|振蕩電路的負(fù)載電容.
振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著高于等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）.確保振蕩津貼,是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大.
振蕩津貼的評價方法
加入電阻“RX”系列表晶單元,并確保該振蕩啟動或停止.近似的負(fù)阻電路是通過增加有效的抵抗“RE”的最大阻力“RX”振蕩啟動或停止后,逐漸使Rx值較大時,得到的值.
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個至少5倍作為最大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的最大值）.大的價值* Re為振蕩過程中的有效電阻值.
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

【晶振頻率溫度曲線】

音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線,其中有一個高峰期在25ºC每左圖所示.
請確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮,因為頻率的幅度變化變得越來越大,溫度范圍變寬.
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A:拋物系數(shù)T:給定的溫度,鈦成交額溫度的.晶振的歷史悠久,不要小看一顆小小的晶振,他確蘊藏著無窮的力量,這給新的電子工程師造成了許多困擾,但是你很幸運,如果你對晶振電路設(shè)計還不是很熟練,可以參考一下,希望對你有幫助.請繼續(xù)關(guān)注帝國博客將會給讀者帶來更多晶振知識,本文晶振與電路設(shè)計如果匹配本節(jié)完.如果有不清楚的地方可在線咨詢QQ或貿(mào)易通,感謝關(guān)注！

作者：帝國科技

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