規(guī)格型號：49337415
頻率：32.768KHZ
尺寸：2.0*1.2mm
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產(chǎn)品描述：ILSI晶振,IL3T晶振,2012mm晶振.ILSI-MMDInc.銷售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成，覆蓋50個(gè)美國，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國，波蘭，德國，法國，意大利，奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷售渠道還受到由多國一級分...

ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.ILSI-MMD Inc.銷售渠道由全球24個(gè)地區(qū)代表組成，覆蓋50個(gè)美國，加拿大西部和東部，墨西哥，亞洲，英國，波蘭，德國，法國，意大利，奧地利和南美洲中的45個(gè)。銷售渠道還受到由多國一級分銷商，地區(qū)分銷，美國分類目錄和歐洲分類目錄組成的分銷基礎(chǔ)設(shè)施的支持; 共有8家專營分銷渠道合作伙伴。

今天，ILSI晶振是一家全球頻率控制解決方案提供商。或者，我們的目標(biāo)是為全球變頻控制市場提供ISO9000：2008認(rèn)證，質(zhì)量非常高，極具競爭力的價(jià)格以及優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)頻率控制產(chǎn)品。
強(qiáng)調(diào)：
ILSI-MMD提供廣泛的頻率控制產(chǎn)品包裝，包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和定制金屬罐通孔表面貼裝晶體，塑料封裝的手表晶體，陶瓷表面貼裝晶體和陶瓷表面貼裝時(shí)鐘振蕩器
ILSI-MMD核心頻率控制產(chǎn)品：晶體。XO，VCXO，TCXO，OCXO振蕩器和諧振器
ILSI-MMD是用于RF /無線應(yīng)用的TCXO頻率控制產(chǎn)品的市場領(lǐng)導(dǎo)者
ILSI-MMD是一家通過ISO9001：2008 DNV認(rèn)證的供應(yīng)商
ILSI-MMD是全球各合同制造/ EMS供應(yīng)商的認(rèn)可供應(yīng)商
ILSI-MMD通過香港的貨運(yùn)樞紐/倉庫為我們的亞洲合同制造和亞洲直接客戶提供支持，以簡化物流
具有35年頻率控制產(chǎn)品經(jīng)驗(yàn)的ILSI-MMD現(xiàn)場應(yīng)用工程團(tuán)隊(duì).
ILSI晶振是全球領(lǐng)先的石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器研發(fā)生產(chǎn)制造商.艾爾西晶振于2013年收購MMDMonitor公司,更名為ILSI-MMD Inc.ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

ILSI晶振規(guī)格	單位	IL3T晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.1µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10^-6 （標(biāo)準(zhǔn)）	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.lcsx.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12pF（標(biāo)準(zhǔn)）	不同負(fù)載要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	/	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。ILSI晶振,IL3T晶振,IL3T-HX5F12.5-32.768KHZ晶振.

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