您好，歡迎光臨帝國科技！
產品分類
PRODUCT
PRODUCT
- 國產晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- DEI晶振
帝國博客
更多>>
- 規格型號：24531592
- 頻率：13~110MHZ,35~220MHZ
- 尺寸：5.0*3.2mm
- 產品描述：Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振,Pletronics晶振公司發展史：1979年,在美國華盛頓州成立了Pletronics公司,主營石英晶振,貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器,（PXO）普通晶體振蕩器,(TCXO)溫補晶體振蕩器等...
Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振
.jpg)
Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振,Pletronics晶振公司發展史：1981年Pletronics晶振公司在韓國建立了一家獨資工廠
1997年通過BSI實現了ISO 9001:1994,符合歐盟環保要求.
2000年賣掉了韓國工廠.轉移到合同制造(鑄造廠)
2001年在華盛頓制造的PECL和LVDS振蕩器,使用FR4 PCB上的離散組件
2002年通過BSI實現了ISO 9001:2000,符合歐盟環保要求,開發出高頻基本晶體
2003年Pletronics晶振公司在韓國和中國合資經營
2004年在5x7陶瓷中引入了較低成本的高頻率PECL和LVDS振蕩器,具有低抖動,低電源電壓,低功耗等特點.
2005年第一個合成的PECL和LVDS振蕩器106.25MHz和212.5MHz,高頻率石英晶體振蕩器具有高穩定性能,低功耗低抖動等特點.適用于高端精密設備中,比如高速光纖網絡,北斗衛星等.
2006年介紹了我們的LVDS系列石英晶體振蕩器,貼片晶振,有源晶振.
2007年合成振蕩器的合資企業建立
2008年為新興技術發布了重要的新產品,如超精密有源晶振,低損耗晶體振蕩器等.
2009年發展過程和精密TCXO溫補晶振,溫補晶體振蕩器的初步試生產
2010年引入OeXo®系列OCXO恒溫晶體振蕩器替代技術
2011年開發了LC振蕩器技術,投入到各種高端智能設備,GPS衛星導航,無線電基站, 北斗衛星導航等領域應用.
2013年引入GypSync®TCXO模塊
2014年引進100fs超低抖動的PECL / LVDS / HCSL J系列晶體振蕩器, 北斗導航溫補晶振,北斗GPS模塊晶體振蕩器
2015年推出了OeM8增強TCVCXO壓控溫補晶振,石英晶體振蕩器,貼片晶振.
2016年引進了50fS超低抖動的PECL / LVDS K系列振蕩器,石英晶體振蕩器,貼片晶振, (TCXO)溫補晶體振蕩器, 壓控晶體振蕩器（VCXO）.Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振.
| 型號 | 符號 | LV55F晶振 |
| 輸出規格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 13~110MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±25×10-6 max,±20×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45?55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz~5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
| 型號 | 符號 | LV55G晶振 |
| 輸出規格 | - | LVDS |
| 輸出頻率范圍 | fo | 35~220MHz |
| 電源電壓 | VCC | 3.3V |
|
頻率公差 （含常溫偏差） |
f_tol | ±50×10-6 max., ±25×10-6 max,±20×10-6 max. |
| 保存溫度范圍 | T_stg | -55~+125℃ |
| 運行溫度范圍 | T_use | -10~+70℃ ,-40~+85℃ |
| 消耗電流 | ICC | 20mA max. |
| 待機時電流（＃1引腳"L"） | I_std | 10μA max. |
| 輸出負載 | Load-R | 100Ω (Output-OutputN) |
| 波形對稱 | SYM | 45~55% [at outputs cross point] |
| 0電平電壓 | VOL | - |
| 1電平電壓 | VOH | - |
| 上升時間 下降時間 | tr, tf | 0.4ns max. [20~80% Output-OutputN] |
| 差分輸出電壓 | VOD1, VOD2 | 0.247~0.454V |
| 差分輸出誤差 | ⊿VOD | 50mV [⊿VOD=｜VOD1VOD2｜] |
| 補償電壓 | VOS | 1.125~1.375V |
| 補償電壓誤差 | ⊿VOS | 50mV |
| 交叉點電壓 | Vcr | - |
| OE端子0電平輸入電壓 | VIL | VCC×0.3 max. |
| OE端子1電平輸入電壓 | VIH | VCC×0.7 min. |
| 輸出禁用時間 | tPLZ | 200ns |
| 輸出使能時間 | tPZL | 2ms |
| 周期抖動（1） | tRMS | 5ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 2.5ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (σ) |
| tp-p | 33ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 22ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) (Peak to peak) | |
| 總抖動（1） | tTL | 50ps typ. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 35ps typ. (27MHz≦fo<212.5MHz) [tDJ + n×tRJ n=14.1(BER=1×10-12) (2)] |
| 相位抖動 | tpj |
1.5ps max. (13.5MHz≦fo<27MHz) / 1ps max. (27MHz≦fo<212.5MHz) [13.5MHz≦fo<40MHz,fo offset:12kHz?5MHz fo≧40MHz,fo offset:12kHz~20MHz] |
機械振動的影響
當晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現象對通信器材通信質量有影響.盡管進口晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作.
7-2:PCB設計指導
(1)理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于晶體器件的PCB板上.如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB.當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同.建議遵照內部板體特性.
(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝.
(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用.
(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料.
存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性.請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏.
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）.
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶.外部壓力會導致卷帶受到損壞.
熱影響
重復的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英耐高溫晶振產品特性,并導致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會導致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導致無法產生振蕩和/或非正常工作.
.jpg)
Pletronics晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.
集團公司將關注所有環境適用的法律、法規和協議的遵守情況.另外為更有效的進行環境保護,將建立自己的特有的環境標準. Pletronics晶振集團將建立可行的技術及經濟性環境目標,并確保其環境保護活動的質量.Pletronics晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少溫補晶振,石英晶體振蕩器廢棄物等.
Pletronics晶振集團盡可能的采用無害的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體原材料和生產技術,避免有害物質的產生,比如消耗臭氧層物質、溫室氣體及其它污染物.集團公司同時將致力于這些物質的收集和回收,最小化有害原料的使用.
Pletronics晶振根據需要,提高環境技術、材料和壓電石英晶體元器件、晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,壓電石英晶體、有源晶體產品的發展信息及環境管理活動的公開性.
減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.Pletronics晶振,LV55F晶振,LV55G晶振,有源六腳晶振.
深圳市帝國科技有限公司SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯系人：譚蘭艾 手 機：86-13826527865
電 話：86-0755-27881119 QQ：921977998
E-mail：dgkjly@163.com
網 址：www.lcsx.com.cn
地 址：中國廣東省深圳市寶安區西鄉大道新湖路
業務經理
