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首頁(yè)歐美晶振 Suntsu晶振Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D48–32.768kHz晶振

Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D48–32.768kHz晶振

規(guī)格型號(hào)：32372767
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.6*1.0mm
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產(chǎn)品描述：Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D4832.768kHz晶振,Suntsu晶振總部位于美國(guó)加利福尼亞州奧蘭治縣，與韓國(guó)，中國(guó)和臺(tái)灣的合資伙伴合作成立。Suntsu頻率控制公司成立于2002年，由頻率控制行業(yè)的專業(yè)人士設(shè)計(jì)，并考慮到三...

Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D48–32.768kHz晶振,Suntsu晶振總部位于美國(guó)加利福尼亞州奧蘭治縣，與韓國(guó)，中國(guó)和臺(tái)灣的合資伙伴合作成立。Suntsu頻率控制公司成立于2002年，由頻率控制行業(yè)的專業(yè)人士設(shè)計(jì)，并考慮到三個(gè)關(guān)鍵原則：
建立涵蓋全頻譜晶體頻率控制設(shè)備的產(chǎn)品陣容，從而為客戶提供滿足頻率控制需求的單一來(lái)源。
通過(guò)設(shè)計(jì)和制造特定于客戶應(yīng)用的定制組件，鼓勵(lì)創(chuàng)造力并支持行業(yè)創(chuàng)新。
通過(guò)按時(shí)交付提供高質(zhì)量的產(chǎn)品來(lái)培養(yǎng)長(zhǎng)期的客戶關(guān)系。
2003年，我們通過(guò)了Det Norske Veritas的ISO 9001：2000美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證，并很快獲得了財(cái)富100強(qiáng)客戶及其合同制造商的重要合同，這些合同幫助我們實(shí)現(xiàn)了增長(zhǎng)。
在接下來(lái)的三年中，我們的產(chǎn)品線迅速增長(zhǎng)。我們從專注于超小型晶體和TCXO開始，到提供各種低噪聲振蕩器和VCXO。2007年，我們進(jìn)一步擴(kuò)展了我們的產(chǎn)品線，包括大量高穩(wěn)定性/低噪聲OCXO，以滿足基站和軍事通信設(shè)備應(yīng)用等需要晶體的最高頻率穩(wěn)定性的需求。
Suntsu晶振是一家只成立了16年的年輕高新高技術(shù)企業(yè),是美洲和歐洲熟悉的Suntsu Crystal,擁有超大規(guī)模的產(chǎn)線和基地,美國(guó)Suntsu石英晶體諧振器主要應(yīng)用到精準(zhǔn)時(shí)間.Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D48–32.768kHz晶振.

Suntsu晶振規(guī)格	單位	SWS112晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	32.768KHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	0.5µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±20 × 10^-6	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.lcsx.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±20 × 10^{-6 ，}±25 × 10^{-6 ,} ±30 × 10^-6	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	12.5pF（標(biāo)準(zhǔn)）,	不同負(fù)載要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶體產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
安裝時(shí)注意事項(xiàng)
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品，建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下，對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度，會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前，應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí)，在安裝條件更改的情況下，請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的石英晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接，請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。
（1）柱面式產(chǎn)品和DIP產(chǎn)品
型號(hào) 焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請(qǐng)勿加熱封裝材料超過(guò)+150°C
(2)SMD晶振產(chǎn)品回流焊接條件（實(shí)例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個(gè)別判斷。請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。Suntsu晶振,SWS112晶振,SWS11212D48–32.768kHz晶振.

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