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- 規格型號：42297126
- 頻率：2M-160MHZ
- 尺寸：18.5*11.9mm
- 產品描述：溫補晶振（TCXO）產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM?2.0 PPM,工作溫度范圍: - 30度?85度,電源電壓:1.8V?3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上最薄的晶振封裝,頻率:26兆...
富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器
富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器,溫補晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.（可對應回流焊）無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
富士通晶振小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。
1994年3月
為了擴充石英晶振水晶設備的銷售機型，
該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質量，還導入了網絡分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進貨銷售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動”自動檢測裝置富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
2005年8月
SMD晶振傳輸法水晶振蕩器自動檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷售kec和kec制的半導體。
為了擴充石英晶振水晶設備的銷售機型，
該公司將與韓國sunny electronics公司、山梨的無線電波股份公司、株山公司簽訂合同。
1998年4月
為了提高質量，還導入了網絡分析儀和其他檢查器。
1998年11月
美國transkelectronics。締結進貨銷售合同。
2000年7月
臺灣yangtec electronics corp。與富士com品牌的銷售合同。
2001年1月
“水晶震動”自動檢測裝置富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
2005年8月
SMD晶振傳輸法水晶振蕩器自動檢查裝置。
2008年6月
韓國將在國內銷售kec和kec制的半導體。
| 石英晶振規格 | 單位 | FTC-A-H 18.5*11.9mm 晶振說明 | 進口振蕩器基本條件 |
| 額定頻率范圍 | f_nom | 2M-160MHZ | 晶振標準頻率 |
| 儲存溫度 | T_stg | -40°C ～ +85°C | 裸存 |
| 工作溫度 | T_use | -10°C ～ +70°C | 標準溫度 |
| 電源電壓 | SV | 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V | |
| 頻率公差 | f_— l |
±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±100 × 10-6 可用) |
+25°C 對于超出標準的規格說明, 請聯系我們以便獲取相關的信息. |
| 頻率溫度特征 | f_tem | ±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C | 超出標準的規格請聯系我們. |
| 負載電容 | CL | 15pF | 超出標準說明,請聯系我們. |
| 串聯電阻（ESR） | R1 | 如下表所示 | -40°C — +85°C, DL = 100μW |
| 頻率老化 | f_age | ±5 × 10-6 / year Max. | +25°C,第一年 |
激勵功率
在石英晶體單元上施加過多驅動力，會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。
貼片晶振負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，有源晶振可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。
所有晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
在石英晶體單元上施加過多驅動力，會導致產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 （請參閱“激勵功率”章節內容）。
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻，否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加（請參閱“關于振蕩”章節內容）。
貼片晶振負載電容
振蕩電路中負載電容的不同，可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差。試圖通過強力調整，有源晶振可能只會導致不正常的振蕩。在使用之前，請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）。
所有晶體振蕩器和實時時鐘模塊都以IC形式提供富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
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6.3、壓控晶體振蕩器原理：
壓控晶體振蕩器是通過調節（控制腳）電壓，低損耗晶振使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變容二極管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發生變化富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
6.4、SMD VCXO IC 原理圖：
SMD VCXO IC內部集成了變容二極管、Cg、Cd、Rf、R1，在制造過程中，只需安裝晶片進行微調。在測試過程中，濾波電容0.01 μF(104 pF )應安裝在測試治具中.
壓控晶體振蕩器是通過調節（控制腳）電壓，低損耗晶振使振蕩器輸出頻率變化的石英晶體振蕩器，主要是通過變容二極管（Vd）的電容的變化，使晶體諧振器的振蕩頻率發生變化富士通晶振,溫補晶振,FTC-A-H晶振,石英晶體振蕩器。
6.4、SMD VCXO IC 原理圖：
SMD VCXO IC內部集成了變容二極管、Cg、Cd、Rf、R1，在制造過程中，只需安裝晶片進行微調。在測試過程中，濾波電容0.01 μF(104 pF )應安裝在測試治具中.
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