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- 規(guī)格型號(hào)：91951828
- 頻率：3.072~70.000MHZ
- 尺寸：11.0*4.6*4.2mm
- 產(chǎn)品描述：使用金屬封裝的具有高穩(wěn)定性、高可靠性的晶體諧振器、使用金屬封裝，充分的密封可確保其高可靠性、采用纏帶包裝，可對(duì)應(yīng)自動(dòng)貼裝。
大真空49S封裝晶振,SMD-49貼片晶振,耐沖擊晶體
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大真空49S封裝晶振,SMD-49貼片晶振,耐沖擊晶體,高精度晶片的拋光技術(shù):是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值,使石英晶體元器件可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).
| 規(guī)格參數(shù) | SMD-49 |
| 頻率范圍 | 3.072~70.000MHZ |
| 負(fù)載電容 | 8pF,10pF,12pF,16pF |
| 工作溫度 |
±50×10-6/-10~+60℃ ±100×10-6/-30~+80℃ |
| 存儲(chǔ)溫度 | -40~+85℃ |
| 頂點(diǎn)溫度 | +25℃ ± 5℃ |
| 周波數(shù)偏差 | ±50×10-6, ±100×10-6 |
| 二次溫度系數(shù) | -0.04×10-6 /℃2 max |
| 老化率 | ±1.0×10-6 max /year |
| 起動(dòng)時(shí)間 | 2.0ms max |
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如果由頻率計(jì)數(shù)器測(cè)量的頻率比目標(biāo)頻率高,要增加電容(CL,或Cd以及C 8)的值,以降低頻率到目標(biāo)頻率,反之亦然.請(qǐng)檢查波形幅度是否改善或沒有經(jīng)過我們調(diào)整頻率.如果它的改善,這表示該電路的原始設(shè)計(jì)不是調(diào)諧到最佳共振點(diǎn)為晶體的情況.該晶體應(yīng)正常后,諧振點(diǎn)的調(diào)整.如果波形幅度甚至沒有提高的頻率非常接近目標(biāo)頻率,我們可以通過以下三種方法改進(jìn)：
方法1：降低產(chǎn)品線路外部電容(Cd和CG)的值,并通過晶體具有較低負(fù)載電容(CL).
方法2：采用小電阻(RR)的晶體.
方法3：使用鎘和CG的不等價(jià)的設(shè)計(jì).
我們可以增加鎘(XOUT)的負(fù)載電容和降低CG(辛)的負(fù)載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出.我們建議您使用上面的方法來(lái)節(jié)省成本,保證安全.請(qǐng)用頻率計(jì)數(shù)器來(lái)測(cè)量所述晶體,以確保經(jīng)調(diào)整頻率仍然滿足原說(shuō)明書后的波形的振幅進(jìn)行了改進(jìn).如果頻率不符合規(guī)格,請(qǐng)采用晶體合適的CL值為根據(jù)您的目標(biāo)頻率.請(qǐng)采用晶體具有較低的CL如果頻率比目標(biāo)頻率,反之亦然高得多系統(tǒng)不能正常工作,由于輸出頻率會(huì)偏差很大.
近來(lái)由于污染排放總量管制受到應(yīng)有重視,各種污染減量與管理機(jī)制的議題已陸續(xù)成為主管機(jī)關(guān)與企業(yè)間執(zhí)行污染防制的重點(diǎn),而大真空電子本身由于受到環(huán)保機(jī)關(guān)污染總量管制,污染物排放量有一定的承諾限值,加上各類相關(guān)環(huán)保議題的要求,亦訂定與規(guī)劃相關(guān)減量目標(biāo),全力保護(hù)有限的地球資源與環(huán)境.有鑒于環(huán)保意識(shí)抬頭,大真空電子多年來(lái)在環(huán)保工作上持續(xù)努力,期望藉由環(huán)境管理、自發(fā)且持續(xù)的改善,達(dá)到改善環(huán)境、減少環(huán)境沖擊的實(shí)質(zhì)目的.本公司于2002年6月開始推行ISO 14001環(huán)境管理系統(tǒng),持續(xù)改善整體環(huán)境并有助提高經(jīng)營(yíng)績(jī)效,同時(shí)強(qiáng)化內(nèi)外銷競(jìng)爭(zhēng)力與提升公司形象.我們承諾將會(huì)持續(xù)維護(hù)ISO 14001環(huán)境管何可能污染環(huán)境的因素,善盡社會(huì)責(zé)任.
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