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- 規格型號：14448805
- 頻率：10~40MHZ
- 尺寸：5.0x3.2x1.45mm
- 產品描述：普通石英晶振,外觀完全使用金屬材料封裝的,產品本身采用全自動石英晶體檢測儀,以及跌落,漏氣等苛刻實驗.產品本身具有高穩定性,高可靠性的石英晶體諧振器,焊接方面支持表面貼裝,外觀采用金屬封裝,具有充分的密封性能,晶...
EPSON晶振,有源貼片晶振,TG5032SGN晶振,基站晶振
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愛普生已經建立了一個原始的垂直整合制造模型的最佳手段持續為客戶創造新的價值,并決定使用這個模型來驅動前面提到的四個關鍵領域的創新.這意味著從頭開始創建產品:創建我們自己的獨特的核心技術和設備,使用這些作為基地的規劃和設計提供獨特價值的產品,生產或制造的藝術和科學,我們積累了多年的專業知識,然后生產晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 32.768K鐘表晶振,溫補晶振等出售給我們的客戶.愛普生加強人力資源的全功能,技術,生產,銷售和支持和環境問題,利用信息技術,推進我們的原始制造模式尋求實現我們的愿景.視野下就像我提到的,我們的目標是使用我們的技術來創建一個新的連接人的時代,事物和信息,這樣我相信我們可以成為不可或缺的公司為我們的客戶和社會.有源SMD晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等).使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內.
| 晶振參數 | 符號 | TG5032SGN |
| 標準頻率 | fo | 10~40MHZ |
| 電源電壓 | Vcc | +3.3V |
| 存儲溫度 | T_stg | -40℃~+90℃ |
| 工作溫度 | T_use | -40℃~+85℃ |
| 頻率初期公差 | F_tol | ±1.0×10-6 Max |
| 待機電流 | I_std | 2 uA MAX |
| 輸出負載 | L_CMOS | 10pF Max |
| 輸出電壓 | VOH | Vcc-0.8V Min |
| VOL | 0.4V Max | |
| 上升/下降時間 | tr/tf | 8 ns Max |
| 啟動時間 | T_str | 10 ms Max |
| 頻率老化 | F_aging | ±1.0×10-6 /years Max |
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有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源低功耗晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.
機械處理
當有源低功耗晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致溫補晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.
負載電容
有源高頻晶振振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容（請參閱“負載電容”章節內容）.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
輸出負載
建議將石英晶振輸出負載安裝在盡可能靠近音叉振蕩子的地方（在20 mm范圍之間）.
未用輸入終端的處理
未用針腳可能會引起噪聲響應,從而導致非正常工作.同時,當P通道和N通道都處于打開時,電源功率消耗也會增加；因此,請將未用輸入終端連接到VCC 或GND.
電處理
將電源連接到晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英工業級晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于耐高溫晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.
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