規(guī)格型號：24959756
頻率：8MHZ
尺寸：8.0*4.5mm
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產(chǎn)品描述：貼片石英晶振8045mm尺寸系列，晶體內(nèi)部采用了真空封裝技術，是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、...

百利通亞陶晶振,貼片晶振,F80800016晶振,8MHZ臺灣亞陶8045mm石英晶振上述質(zhì)量獎反映 Diodes 公司優(yōu)異的品管技術，并進一步提升我們在重視質(zhì)量與一致性的 OEM 業(yè)者心目中最佳廠商的地位。

產(chǎn)品聚焦于高成長終端用戶設備市場，例如電視/衛(wèi)星機頂盒、可攜式 DVD 播放器、數(shù)據(jù)通訊設備、ADSL 調(diào)制解調(diào)器、電源供應器、醫(yī)療裝置 (非維生裝置/系統(tǒng))、個人計算機與筆記本電腦、平面顯示器、數(shù)字相機、手機、AC-DC 與 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、無線 802.11 LAN 存取點、無刷直流馬達風扇、序列連接及汽車應用。

Double Data Rate (DDR) 同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存是用于計算機的內(nèi)存等級。 Diodes 石英晶振諧振器可為高可用性通訊與網(wǎng)絡設備（包括服務器、RAID 儲存裝置、工作站與刪除重復數(shù)據(jù)設備）以及醫(yī)療裝置與其他嵌入式系統(tǒng)的 DDR3、DDR2 和 DDR1 SRAM 提供頻率及切換組件。

石英晶振規(guī)格	單位	F80800016 晶振說明	進口晶振基本條件
額定頻率范圍	f_nom	8MHZ	晶振標準頻率
儲存溫度	T_stg	-55°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	20°C ～ +70°C	標準溫度
電源電壓	SV	2.5V
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標準), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息.
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8-32pF	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻（ESR）	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

化學制劑 / pH值環(huán)境

請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。

粘合劑

請勿使用可能導致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個石英晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）

鹵化合物

請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。

靜電

百利通亞陶晶振,貼片晶振,F80800016晶振,8045mm石英晶振過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

百利通亞陶晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產(chǎn)生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過石英晶振,貼片晶振,溫補晶振,石英晶體振蕩器設計工藝程序?qū)T工進行培訓保護環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的產(chǎn)品的信息,百利通亞陶晶振,貼片晶振,F80800016晶振,8045mm石英晶振對環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運營現(xiàn)狀進行糾正.

百利通亞陶晶振集團保持就健康安全環(huán)境問題與臨近攝取進行對話.通過在環(huán)境控制方面實施優(yōu)秀的管理實踐,以保護環(huán)境和全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價值觀,在所有的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器產(chǎn)品和生產(chǎn)過程中應用最佳環(huán)境實用技術,為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻.

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