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Suntsu晶振,SXT3G4晶振,SXT3G418AA48-16.000M晶振

規格型號：86184448
頻率：10~60MHZ
尺寸：3.2*2.5mm
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產品描述：Suntsu晶振,SXT3G4晶振,SXT3G418AA48-16.000M晶振,Suntsu晶振總部位于美國加利福尼亞州奧蘭治縣，與韓國，中國和臺灣的合資伙伴合作成立。Suntsu頻率控制公司成立于2002年，由頻率控制行業的專業人士設計，并考慮到三...

Suntsu晶振,SXT3G4晶振,SXT3G418AA48-16.000M晶振,Suntsu晶振總部位于美國加利福尼亞州奧蘭治縣，與韓國，中國和臺灣的合資伙伴合作成立。Suntsu頻率控制公司成立于2002年，由頻率控制行業的專業人士設計，并考慮到三個關鍵原則：

建立涵蓋全頻譜晶體頻率控制設備的產品陣容，從而為客戶提供滿足頻率控制需求的單一來源。
通過設計和制造特定于客戶應用的定制組件，鼓勵創造力并支持行業創新。
通過按時交付提供高質量的產品來培養長期的客戶關系。
我們經過廣泛培訓的銷售人員隨時可以幫助您從產品的原型階段到全面生產。我們非常自豪能夠在最短的時間內為您提供最新的信息。我們認識到新興技術的上市時間的重要性，并開發了內部基礎設施以滿足您的需求。
在今天的經濟中，科技公司需要靈活的供應商，以支持他們的工程團隊及其獨特的應用，以優質的產品，有競爭力的價格和可靠的交付。Suntsu致力于成為該供應商
松圖晶振(Suntsu Crystal)公司總部位于美國加利福尼亞州蘭治縣,與韓國,中國和臺灣合資研發生產松圖SMD晶振,有源晶振,高品質晶振,石英晶振等頻率元件.Suntsu晶振,SXT3G4晶振,SXT3G418AA48-16.000M晶振.

Suntsu晶振規格	單位	SXT3G4晶振頻率范圍		石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10~60MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200µW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±10 × 10^-6	+25°C 對于超出標準的規格說明,請聯系我們以便獲取相關的信息,http://www.lcsx.com.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±10 × 10^-6 ，±10 × 10^-6 ±20 × 10^-6 ，±25 × 10^-6 ±30 × 10^-6 ,±50 × 10^-6	超出標準的規格請聯系我們.
負載電容	CL	15pF（標準）	不同負載要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R₁	/	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

存儲事項
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存晶體產品時，會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些晶體產品，并在開封后盡可能進行安裝，以免長期儲藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請參閱“測試點JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標準條件”章節內容）。
(2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。
安裝時注意事項
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接晶體產品，建議使用SMD產品。在下列回流條件下，對晶體產品甚至SMD產品使用更高溫度，會破壞產品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產品之前，應檢查焊接溫度和時間。同時，在安裝條件更改的情況下，請再次進行檢查。如果需要焊接的石英晶體產品在下列配置條件下進行焊接，請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
（1）柱面式產品和DIP產品
型號焊接條件
[ 柱面式音叉晶振]
C-類型，C-2-類型，C-4-類型 +280°C或低于@最大值5 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
[ 柱面式 ]
CA-301
[ DIP ]
SG-51 / 531, SG-8002DB DC,
RTC-72421 / 7301DG +260°C或低于@最大值 10 s
請勿加熱封裝材料超過+150°C
(2)SMD晶振產品回流焊接條件（實例）
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯系我們以便獲取相關信息。
盡可能使溫度變化曲線保持平滑。Suntsu晶振,SXT3G4晶振,SXT3G418AA48-16.000M晶振.

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